Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206646
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСоловьев, В. С.-
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.date.accessioned2018-10-04T11:08:44Z-
dc.date.available2018-10-04T11:08:44Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 201-203.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206646-
dc.description.abstractПредставлен метод получения бездефектных тонких n* слоев и мелкозалегающих (-210 нм) n*/р переходов в Si. Метод включает в себя двойную имплантацию Sb* и Р* (60 и 20 кэВ соответственно) с последующей стационарной термообработкой (до 850°С). Выбранные условия имплантации (доза, энергия) предполагают компенсацию напряжений несоответствия (КНН). Наблюдается значительно меньшее перераспределение фосфора и высокая степень активации легирующей примеси. Предполагается, что в условиях KHH участие собственных междоузельных атомов Si в процессах образования дислокационных петель и перераспределения примесей подавляется.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleДвойная ионная имплантация сурьмы и фосфора как метод создания тонких n+-слоев в кремнииru
dc.title.alternativeDouble ion implantation of Sb+ and P+ as a method for creating of the thin n+-layers in Si / V.S.Solov'yev, O.V.Milchaninru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeA method for creating of thin defect-free n*-layers and shallow n*/p junctions (~210 nm) in Si is presented. This technique includes double implantation of Sb* and P* (60 and 20 keV respectively) with the following stationary furnace annealing (up to 850"C). The implantation conditions (dose, energy) bring to compensation of misfit stress. The substantially smaller redistribution of phosphorus and high activation of dopand is established. We propose that in stress-relaxed conditions the influence self­interstitial Si atoms upon dopand redistribution and dislocation loops formation is suppressed.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
201-203.pdf2,93 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.