Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206621
Title: Формирование скрытых изолирующих слоёв в кремнии при субстехиометрической имплантации ионов азота
Other Titles: Formation of buried isolation layers in semiconductors (silicon) by substoichiometric nitrogen implantation / F.F.Komarov, V I.Kolkovsky
Authors: Комаров, Ф. Ф.
Колковский, В. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 1999
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 144-146.
Abstract: В данной работе методами Монте-Карло и моментов распределения проведены теоретические расчеты профилей распределения упруго выделенной энергии при имплантации ионов азота в кремний. Их анализ с использованием энергетического критерия аморфизации и сравнение с экспериментальными данными позволяют заключить, что для корректного определения дозы ионов азота, при которой формируется скрытый изолирующий слой нитрида кремния, необходимо учитывать процессы, связанные с генерацией в процессе ,имплантации ионов азота точечных дефектов и их последующей рекомбинацией и/или аннигиляцией на стоках, в качестве которых могут выступать различные дефекты структуры.
Abstract (in another language): In the given work the theoretical accounts of structures of distribution elastic allocated energy are carried out with implantation of nitrogen ions in silicon by methods of Monte-Carlo and moments of distribution. Their analysis with use of power criterion and comparison with experimental data allow to conclude, that for correct definition of a doze of ions of nitrogen, with which is formed latent isolation a layer nitride of silicon, it is necessary to take into account processes connected to generation in process implantation of ions of nitrogen of dot defects and their subsequent recombination and / or annihilation on drains, as which the various defects of structure can act.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206621
ISBN: 985-445-237-9
Appears in Collections:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
144-146.pdf2,72 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.