Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206621
Заглавие документа: | Формирование скрытых изолирующих слоёв в кремнии при субстехиометрической имплантации ионов азота |
Другое заглавие: | Formation of buried isolation layers in semiconductors (silicon) by substoichiometric nitrogen implantation / F.F.Komarov, V I.Kolkovsky |
Авторы: | Комаров, Ф. Ф. Колковский, В. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 1999 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 144-146. |
Аннотация: | В данной работе методами Монте-Карло и моментов распределения проведены теоретические расчеты профилей распределения упруго выделенной энергии при имплантации ионов азота в кремний. Их анализ с использованием энергетического критерия аморфизации и сравнение с экспериментальными данными позволяют заключить, что для корректного определения дозы ионов азота, при которой формируется скрытый изолирующий слой нитрида кремния, необходимо учитывать процессы, связанные с генерацией в процессе ,имплантации ионов азота точечных дефектов и их последующей рекомбинацией и/или аннигиляцией на стоках, в качестве которых могут выступать различные дефекты структуры. |
Аннотация (на другом языке): | In the given work the theoretical accounts of structures of distribution elastic allocated energy are carried out with implantation of nitrogen ions in silicon by methods of Monte-Carlo and moments of distribution. Their analysis with use of power criterion and comparison with experimental data allow to conclude, that for correct definition of a doze of ions of nitrogen, with which is formed latent isolation a layer nitride of silicon, it is necessary to take into account processes connected to generation in process implantation of ions of nitrogen of dot defects and their subsequent recombination and / or annihilation on drains, as which the various defects of structure can act. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206621 |
ISBN: | 985-445-237-9 |
Располагается в коллекциях: | 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
144-146.pdf | 2,72 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.