Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206621
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorКолковский, В. И.-
dc.date.accessioned2018-10-04T08:54:19Z-
dc.date.available2018-10-04T08:54:19Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.2. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 144-146.ru
dc.identifier.isbn985-445-237-9-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206621-
dc.description.abstractВ данной работе методами Монте-Карло и моментов распределения проведены теоретические расчеты профилей распределения упруго выделенной энергии при имплантации ионов азота в кремний. Их анализ с использованием энергетического критерия аморфизации и сравнение с экспериментальными данными позволяют заключить, что для корректного определения дозы ионов азота, при которой формируется скрытый изолирующий слой нитрида кремния, необходимо учитывать процессы, связанные с генерацией в процессе ,имплантации ионов азота точечных дефектов и их последующей рекомбинацией и/или аннигиляцией на стоках, в качестве которых могут выступать различные дефекты структуры.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФормирование скрытых изолирующих слоёв в кремнии при субстехиометрической имплантации ионов азотаru
dc.title.alternativeFormation of buried isolation layers in semiconductors (silicon) by substoichiometric nitrogen implantation / F.F.Komarov, V I.Kolkovskyru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeIn the given work the theoretical accounts of structures of distribution elastic allocated energy are carried out with implantation of nitrogen ions in silicon by methods of Monte-Carlo and moments of distribution. Their analysis with use of power criterion and comparison with experimental data allow to conclude, that for correct definition of a doze of ions of nitrogen, with which is formed latent isolation a layer nitride of silicon, it is necessary to take into account processes connected to generation in process implantation of ions of nitrogen of dot defects and their subsequent recombination and / or annihilation on drains, as which the various defects of structure can act.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
144-146.pdf2,72 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.