Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 1999. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/204376
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorГуринович, В. А.-
dc.contributor.authorЖданович, Н. Е.-
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorТрощинский, В. Т.-
dc.date.accessioned2018-08-28T06:19:30Z-
dc.date.available2018-08-28T06:19:30Z-
dc.date.issued1999-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: Материалы III междунар. науч. конф., 6-8 окт. 1999 г., Минск: В 2 ч. Ч.1. — Мн.: БГУ, 1999. — С. 121-123.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/204376-
dc.description.abstractУстановлено, что электронное (Е = 4 МэВ) облучение кремниевых диффузионно-сплавных рп-переходов ведет к уменьшению емкости и проводимости при T = 22+80 К в результате введения радиационных дефектов. При этом с ростом флюенса электронов участок резкого уменьшения емкости при 22+30 К и соответствующий ему максимум проводимости смещаются в область более высоких температур в результате увеличения степени компенсации п-области.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 Кru
dc.title.alternativeElectron irradiation influence on conductance and capacity of silicon diffused p-n-junctions at 4,2-80 K / S. B. Lastovski, V. A. Gurinovitch, N. E. Zdanovitch, N. A. Poklonski, V. T. Troschinskiru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe influence of the irradiation by electrons with E=4 MeV on capacity C and conductance G of the silicon diffused p-n-|imctions at 4,2+80 K have been investigated. On the capacity temperature dependencies of the initial samples two regions of к abrupt decrease (at 40+65 and 22+30 K) up to the geometrical capacity values have been found, and on the G (T) dependencies - two maximums. It is shown that it is caused by the freezing-out of the charge carriers on the aluminum acceptor levels in p-region and on the phosphorous donor levels in n-region. It is established, that with electron fluence increase C and G values mainly decrease at 22+80 K as the result of the radiation defects introduction. In that case the shift in the higher temperature region of the second region of the capacity abrupt decrease and the relevant conductance maximum is watched. It is supposed that it is caused by the decrease of the donor centers thermal ionization energy at the expense of the n-region compensation at irradiation.ru
Располагается в коллекциях:1999. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
121-123.pdf252,66 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.