Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206823
Title: Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условиях
Other Titles: Influence of gamma radiation on charge storage in MOS structures under different conditions / Yu.V. Bogatyrev, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, V.l. Kulgachev
Authors: Богатырев, Ю. В.
Коршунов, Ф. П.
Ластовский, С. Б.
Кульгачев, В. И.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2003
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 99-101.
Abstract: Исследовано изменение вольтфарадных характеристик МОП-структур при воздействии гамма-излучения Со 60 при различных напряжениях на затворе (Ug=0 и 5 В). Получена квадратичная зависимость радиационного сдвига порогового напряжения от толщины диэлектрика. Расчет распределения положительного заряда, накопленного при облучении в SiO2 при Ug=0 и 5 В, показал, что с ростом напряжения на затворе происходит расширение заряженной области в объеме оксида кремния.
Abstract (in another language): The change of C-V-performances of MOS structures is investigated at Co 60 gamma-radiation effect at different gate voltages (Ug=O and 5 V). The quadratic dependence of radiation shift of a threshold voltage on a dielectric width is obtained. The calculation of accumulated positive charge distribution at the irradiation in SiO 2 at Ug=O and 5 V has shown, that at gate voltage growth there is an expansion of charged area in bulk of silicon oxide.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/206823
ISBN: 985-445-236-0; 985-445-235-2
Appears in Collections:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
99-101.pdf2,53 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.