Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/206823
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБогатырев, Ю. В.-
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.-
dc.contributor.authorКульгачев, В. И.-
dc.date.accessioned2018-10-09T12:10:13Z-
dc.date.available2018-10-09T12:10:13Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 99-101.ru
dc.identifier.isbn985-445-236-0; 985-445-235-2-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/206823-
dc.description.abstractИсследовано изменение вольтфарадных характеристик МОП-структур при воздействии гамма-излучения Со 60 при различных напряжениях на затворе (Ug=0 и 5 В). Получена квадратичная зависимость радиационного сдвига порогового напряжения от толщины диэлектрика. Расчет распределения положительного заряда, накопленного при облучении в SiO2 при Ug=0 и 5 В, показал, что с ростом напряжения на затворе происходит расширение заряженной области в объеме оксида кремния.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск : БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleВлияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условияхru
dc.title.alternativeInfluence of gamma radiation on charge storage in MOS structures under different conditions / Yu.V. Bogatyrev, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, V.l. Kulgachevru
dc.typeconference paperru
dc.description.alternativeThe change of C-V-performances of MOS structures is investigated at Co 60 gamma-radiation effect at different gate voltages (Ug=O and 5 V). The quadratic dependence of radiation shift of a threshold voltage on a dielectric width is obtained. The calculation of accumulated positive charge distribution at the irradiation in SiO 2 at Ug=O and 5 V has shown, that at gate voltage growth there is an expansion of charged area in bulk of silicon oxide.ru
Располагается в коллекциях:2003. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
99-101.pdf2,53 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.