Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/206823| Заглавие документа: | Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условиях |
| Другое заглавие: | Influence of gamma radiation on charge storage in MOS structures under different conditions / Yu.V. Bogatyrev, F.P. Korshunov, S.B. Lastovski, V.l. Kulgachev |
| Авторы: | Богатырев, Ю. В. Коршунов, Ф. П. Ластовский, С. Б. Кульгачев, В. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2003 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы V междунар. науч. конф., 6-9 окт. 2003 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2003. — С. 99-101. |
| Аннотация: | Исследовано изменение вольтфарадных характеристик МОП-структур при воздействии гамма-излучения Со 60 при различных напряжениях на затворе (Ug=0 и 5 В). Получена квадратичная зависимость радиационного сдвига порогового напряжения от толщины диэлектрика. Расчет распределения положительного заряда, накопленного при облучении в SiO2 при Ug=0 и 5 В, показал, что с ростом напряжения на затворе происходит расширение заряженной области в объеме оксида кремния. |
| Аннотация (на другом языке): | The change of C-V-performances of MOS structures is investigated at Co 60 gamma-radiation effect at different gate voltages (Ug=O and 5 V). The quadratic dependence of radiation shift of a threshold voltage on a dielectric width is obtained. The calculation of accumulated positive charge distribution at the irradiation in SiO 2 at Ug=O and 5 V has shown, that at gate voltage growth there is an expansion of charged area in bulk of silicon oxide. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/206823 |
| ISBN: | 985-445-236-0; 985-445-235-2 |
| Располагается в коллекциях: | 2003. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 99-101.pdf | 2,53 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.