Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/108013
Title: Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодах
Authors: Ластовский, С. Б.
Коршунов, Ф. П.
Якушевич, А. С.
Латушко, Я. И.
Макаренко, Л. Ф.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2014
Publisher: Издательский центр БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. VI Междунар. науч. конф., Минск, 8-9 окт. 2014 г. / редкол.: В.Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск: Изд. центр БГУ, 2014. - С.
Abstract: В работе исследовались кинетики инжекционного отжига комплекса BiOi в кремниевых n+–p структурах, облученных α–частицами. Электрически активные дефекты, индуцированные облучением α-частиц, исследовались методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Спектры записывались в интервале температур 79–270 К в режимах заполнения ловушек основными (эмиссии) и неосновными (инжекции) носителями заряда. Обнаружена корреляция в уменьшении высоты пика BiOi и увеличением суммы высот пиков Ci, и CiOi. Установлено, что скорость отжига увеличивается с ростом плотности прямого тока и температуры отжига, а также уменьшается с ростом дозы облучения образцов.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/108013
ISBN: 978-985-553-234-8
Sponsorship: Белорусский Республиканский Фонд Фундаментальных Исследований
Appears in Collections:2014. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
p.120-123.pdf480,15 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.