Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодах

Abstract

В работе исследовались кинетики инжекционного отжига комплекса BiOi в кремниевых n+–p структурах, облученных α–частицами. Электрически активные дефекты, индуцированные облучением α-частиц, исследовались методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS). Спектры записывались в интервале температур 79–270 К в режимах заполнения ловушек основными (эмиссии) и неосновными (инжекции) носителями заряда. Обнаружена корреляция в уменьшении высоты пика BiOi и увеличением суммы высот пиков Ci, и CiOi. Установлено, что скорость отжига увеличивается с ростом плотности прямого тока и температуры отжига, а также уменьшается с ростом дозы облучения образцов.