Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Маркевич, В. П.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 7 - 26 из 28 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2022Влияние электрического поля на образование радиационно-индуцированных центров в кремний-германиевых сплавах p-типа при облучении альфа-частицамиЖданович, Д. Н.; Жданович, Н. Е.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Медведева, И. Ф.; Огородников, Д. А.; Фадеева, Е. А.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001Колебательные моды комплексов кислород-вакансия в германииЛитвинов, В. В.; Мурин, Л. И.; Линдстром, Дж. Л.; Маркевич, В. П.; Петух, А. Н.
2014Модификация свойств кремниевых эпитаксиальных пленок обработкой в водородной плазмеПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Литвинов, В. В.; Маркевич, В. П.; Ксеневич, В. К.; Смирнова, О. Ю.; Стельмах, Г. Ф.; Мазаник, А. В.; Королик, О. В.; Гиро, А. В.; Пальмера Д. Мигель А.
2021О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнииМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2021Образование вакансионно-кислородных центров VO5 и VO6 в кристаллах кремния при радиационно-термических обработкахТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2007Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медьМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2018Оптические и электронные свойства твердых растворов германий – кремнийСмирнова, О. Ю.; Стельмах, Г. Ф.; Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Маркевич, В. П.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.
2016Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2017Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составомМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2016Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типаЛастовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2023Отжиг под обратным смещением кремниевых диодных n+-p-структур, облученных альфа-частицамиЖданович, Д. Н.; Ластовский, С. Б.; Макаренко, Л. Ф.; Маркевич, В. П.; Огородников, Д. А.
2018Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах кремний – германий при изменении их компонентного состава имплантацией ионов никеляПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Смирнова, О. Ю.; Гайдук, П. И.; Маркевич, В. П.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.; Злоцкий, С. В.
мар-2019ТРАНСФОРМАЦИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ И СОСТОЯНИЯ ВОДОРОДА ПРИ ТЕРМООБРАБОТКЕ ГИДРОГЕНИЗИРОВАННОГО КРЕМНИЯПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Смирнова, О. Ю.; Стельмах, Г. Ф.; Маркевич, В. П.; Королик, О. В.; Свито, И. А.; Saad, A. M.
2014Формирование доноров в твердых растворах Ge1–xSiх, имплантированных протонамиПокотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Литвинов, В. В.; Гиро, А. В.; Маркевич, В. П.; Камышан, А. С.
Результаты 7 - 26 из 28 < предыдущий   следующий >