Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302356
Заглавие документа: Отжиг под обратным смещением кремниевых диодных n+-p-структур, облученных альфа-частицами
Авторы: Жданович, Д. Н.
Ластовский, С. Б.
Макаренко, Л. Ф.
Маркевич, В. П.
Огородников, Д. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2023
Библиографическое описание источника: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 291-293.
Аннотация: Исследованы изменения в профилях концентрации подвижных носителей заряда в базе кремниевых n+-p-структур, вызванные облучением альфа-частицами и последующим отжигом при приложении обратного смещения и без смещения. Показано, что в процессе облучения обратно смещенных n+-p-структур при температуре 290 К генерируемые междоузельные атомы кремния, Sii2+, отжигаются ускоренно в области обеднения при захвате электронов, создаваемых альфа-частицами
Доп. сведения: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302356
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Номер, дата депонирования: №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023
Располагается в коллекциях:2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
291-293.pdf495,09 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.