Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302356
Title: Отжиг под обратным смещением кремниевых диодных n+-p-структур, облученных альфа-частицами
Authors: Жданович, Д. Н.
Ластовский, С. Б.
Макаренко, Л. Ф.
Маркевич, В. П.
Огородников, Д. А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2023
Citation: Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 291-293.
Abstract: Исследованы изменения в профилях концентрации подвижных носителей заряда в базе кремниевых n+-p-структур, вызванные облучением альфа-частицами и последующим отжигом при приложении обратного смещения и без смещения. Показано, что в процессе облучения обратно смещенных n+-p-структур при температуре 290 К генерируемые междоузельные атомы кремния, Sii2+, отжигаются ускоренно в области обеднения при захвате электронов, создаваемых альфа-частицами
Description: Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния
URI: https://elib.bsu.by/handle/123456789/302356
Licence: info:eu-repo/semantics/openAccess
Number, date deposit: №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023
Appears in Collections:2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
291-293.pdf495,09 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.