Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/205798
Title: Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах Si
Other Titles: Annealing of vacancy-phosphorus complexes in irradiated Si crystals / I.F.Medvedeva, L.I.Murin, V.P.Markevich
Authors: Медведева, И. Ф.
Мурин, Л. И.
Маркевич, В. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2001
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 183-185.
Abstract: Исследованы особенности отжига комплексов фосфор-вакансия (Е- центров) в кристаллах кремния с различным содержанием технологических примесей О и Р. Установлено, что доминирующим механизмом отжига Е- центров в кристаллах кремния является диссоциация центров на Р и V с образованием комплексов Cs-Cs в бескислородных кристаллах и комплексов вакансия-кислород (А- центров) в кристаллах Si, содержащим кислород (No^ 10''®см"®).
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/205798
ISBN: 985-445-236-0
Appears in Collections:2001. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
183-185.pdf711,88 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.