Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205798Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Медведева, И. Ф. | |
| dc.contributor.author | Мурин, Л. И. | |
| dc.contributor.author | Маркевич, В. П. | |
| dc.date.accessioned | 2018-09-10T10:59:11Z | - |
| dc.date.available | 2018-09-10T10:59:11Z | - |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 183-185. | |
| dc.identifier.isbn | 985-445-236-0 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205798 | - |
| dc.description.abstract | Исследованы особенности отжига комплексов фосфор-вакансия (Е- центров) в кристаллах кремния с различным содержанием технологических примесей О и Р. Установлено, что доминирующим механизмом отжига Е- центров в кристаллах кремния является диссоциация центров на Р и V с образованием комплексов Cs-Cs в бескислородных кристаллах и комплексов вакансия-кислород (А- центров) в кристаллах Si, содержащим кислород (No^ 10''®см"®). | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах Si | |
| dc.title.alternative | Annealing of vacancy-phosphorus complexes in irradiated Si crystals / I.F.Medvedeva, L.I.Murin, V.P.Markevich | |
| dc.type | conference paper | |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 183-185.pdf | 711,88 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.