Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/205798| Заглавие документа: | Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах Si |
| Другое заглавие: | Annealing of vacancy-phosphorus complexes in irradiated Si crystals / I.F.Medvedeva, L.I.Murin, V.P.Markevich |
| Авторы: | Медведева, И. Ф. Мурин, Л. И. Маркевич, В. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 183-185. |
| Аннотация: | Исследованы особенности отжига комплексов фосфор-вакансия (Е- центров) в кристаллах кремния с различным содержанием технологических примесей О и Р. Установлено, что доминирующим механизмом отжига Е- центров в кристаллах кремния является диссоциация центров на Р и V с образованием комплексов Cs-Cs в бескислородных кристаллах и комплексов вакансия-кислород (А- центров) в кристаллах Si, содержащим кислород (No^ 10''®см"®). |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/205798 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 183-185.pdf | 711,88 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.