Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215207
Title: Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах кремний – германий при изменении их компонентного состава имплантацией ионов никеля
Other Titles: Shifting of the bands of combination light scattering in silicon-germany solid solutions with changing their component composition / Yu. М. Pokotiliо, А. N. Petukh, О. Yu. Smirnova, P. I. Gaiduk, V. P. Markevich, О. V. Korolik, А. V. Mazanik, С. V. Zlotsky
Authors: Покотило, Ю. М.
Петух, А. Н.
Смирнова, О. Ю.
Гайдук, П. И.
Маркевич, В. П.
Королик, О. В.
Мазаник, А. В.
Злоцкий, С. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 104-107.
Abstract: Методами комбинационного рассеяния света (КРС) и рентгеноструктурного анализа исследованы дефекты структуры в монокристаллах твердых растворов Si1-xGex , выращенных методом вытягивания из расплава и электронно-лучевой плавки, а также в пленках, полученных методом молекулярно лучевой эпитаксии. Показано, что смещение пиков КРС, обусловленных колебаниями связей Si-Si, Si-Ge и Ge-Ge, определяются уменьшением параметра решетки при возрастании доли германия в твердом растворе.
Abstract (in another language): The structural defects both in single crystals of Si1-xGex solid solutions grown by the melt-drawing and electron-beam melting method, and in films obtained by molecular beam epitaxy, were studied by Raman scattering and X-ray diffraction methods. It is shown that the shift in the Raman peak due to the vibrations of the Si-Si, Si-Ge, and Ge-Ge bonds is determined by the decrease in the lattice parameter as the share of germanium in the solid solution increases.
Description: Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215207
ISBN: 978-985-566-671-5
Sponsorship: Исследования проводились при частичной финансовой поддержке БРФФИ в рамках проекта № Т18Р-190.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
104-107.pdf373,06 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.