Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах кремний – германий при изменении их компонентного состава имплантацией ионов никеля

Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Смирнова, О. Ю.; Гайдук, П. И.; Маркевич, В. П.; Королик, О. В.; Мазаник, А. В.; Злоцкий, С. В.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/215207

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Покотило, Ю. М.
dc.contributor.author	Петух, А. Н.
dc.contributor.author	Смирнова, О. Ю.
dc.contributor.author	Гайдук, П. И.
dc.contributor.author	Маркевич, В. П.
dc.contributor.author	Королик, О. В.
dc.contributor.author	Мазаник, А. В.
dc.contributor.author	Злоцкий, С. В.
dc.date.accessioned	2019-02-21T13:28:14Z	-
dc.date.available	2019-02-21T13:28:14Z	-
dc.date.issued	2018
dc.identifier.citation	Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 104-107.
dc.identifier.isbn	978-985-566-671-5
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/215207	-
dc.description	Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstract	Методами комбинационного рассеяния света (КРС) и рентгеноструктурного анализа исследованы дефекты структуры в монокристаллах твердых растворов Si1-xGex , выращенных методом вытягивания из расплава и электронно-лучевой плавки, а также в пленках, полученных методом молекулярно лучевой эпитаксии. Показано, что смещение пиков КРС, обусловленных колебаниями связей Si-Si, Si-Ge и Ge-Ge, определяются уменьшением параметра решетки при возрастании доли германия в твердом растворе.
dc.description.sponsorship	Исследования проводились при частичной финансовой поддержке БРФФИ в рамках проекта № Т18Р-190.
dc.language.iso	ru
dc.publisher	Минск : БГУ
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.title	Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах кремний – германий при изменении их компонентного состава имплантацией ионов никеля
dc.title.alternative	Shifting of the bands of combination light scattering in silicon-germany solid solutions with changing their component composition / Yu. М. Pokotiliо, А. N. Petukh, О. Yu. Smirnova, P. I. Gaiduk, V. P. Markevich, О. V. Korolik, А. V. Mazanik, С. V. Zlotsky
dc.type	conference paper
dc.description.alternative	The structural defects both in single crystals of Si1-xGex solid solutions grown by the melt-drawing and electron-beam melting method, and in films obtained by molecular beam epitaxy, were studied by Raman scattering and X-ray diffraction methods. It is shown that the shift in the Raman peak due to the vibrations of the Si-Si, Si-Ge, and Ge-Ge bonds is determined by the decrease in the lattice parameter as the share of germanium in the solid solution increases.
Располагается в коллекциях:	2018. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
104-107.pdf		373,06 kB	Adobe PDF	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.