Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215207| Title: | Сдвиг полос комбинационного рассеяния света в твердых растворах кремний – германий при изменении их компонентного состава имплантацией ионов никеля |
| Other Titles: | Shifting of the bands of combination light scattering in silicon-germany solid solutions with changing their component composition / Yu. М. Pokotiliо, А. N. Petukh, О. Yu. Smirnova, P. I. Gaiduk, V. P. Markevich, О. V. Korolik, А. V. Mazanik, С. V. Zlotsky |
| Authors: | Покотило, Ю. М. Петух, А. Н. Смирнова, О. Ю. Гайдук, П. И. Маркевич, В. П. Королик, О. В. Мазаник, А. В. Злоцкий, С. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 104-107. |
| Abstract: | Методами комбинационного рассеяния света (КРС) и рентгеноструктурного анализа исследованы дефекты структуры в монокристаллах твердых растворов Si1-xGex , выращенных методом вытягивания из расплава и электронно-лучевой плавки, а также в пленках, полученных методом молекулярно лучевой эпитаксии. Показано, что смещение пиков КРС, обусловленных колебаниями связей Si-Si, Si-Ge и Ge-Ge, определяются уменьшением параметра решетки при возрастании доли германия в твердом растворе. |
| Abstract (in another language): | The structural defects both in single crystals of Si1-xGex solid solutions grown by the melt-drawing and electron-beam melting method, and in films obtained by molecular beam epitaxy, were studied by Raman scattering and X-ray diffraction methods. It is shown that the shift in the Raman peak due to the vibrations of the Si-Si, Si-Ge, and Ge-Ge bonds is determined by the decrease in the lattice parameter as the share of germanium in the solid solution increases. |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215207 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Sponsorship: | Исследования проводились при частичной финансовой поддержке БРФФИ в рамках проекта № Т18Р-190. |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 104-107.pdf | 373,06 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.