Logo BSU

Просмотр "2020. Материалы и структуры современной электроники" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 7 - 26 из 112 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2020Sol-gel synthesis and roperties of heterostructures containing nanostructured porous layerRudenko, M. V.; Gaponenko, N. V.; Chubenko, E. B.; Borisenko, V. E.; Litvinov, V. G.; Ermachikhin, A. V.; Mukhin, N. V.; Monaico, E. V.
2020Structure and electronic properties of MoS1.5Se0.5 alloy from first-principals calculationsGusakov, V.; Gusakova, J.; Tay, B.
2020Technologies of electrochemical deposition of metals on a semiconductor wafer of various mems microformsTimoshkov, Y. V.; Khanko, A. V.; Kurmashev, V. I.
2020The luminescence center with ZPL at 468 nm in CVD diamondsZaitsev, A. M.; Kazuchits, N. M.; Moe, K. S.
2020Адгезионные и прочностные свойства пленок диазохинон-новолачного фоторезиста на кремнии, облученных гамма-квантамиВабищевич, С. А.; Бринкевич, Д. И.; Вабищевич, Н. В.; Просолович, В. С.; Янковский, Ю. Н.
2020Акустическая эмиссия двух очагов лазерного разрушения в прозрачном диэлектрикеВасильев, С. В.; Иванов, А. Ю.; Семенчук, Е. О.; Ситкевич, А. Л.
2020Аллотропия молекул, входящих в кластер повехности кремнияШмермбекк, Ю.
2020Асимптотический метод расчета индикатрисы рассеяния на поверхности с предельно крупными неровностямиСерженту, В. В.
2020Бесконтактное картирование примеси железа в кремнии зондовым зарядочувствительным методомТявловский, А. К.; Жарин, А. Л.; Тявловский, К. Л.; Пантелеев, К. В.; Воробей, Р. И.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н.
2020Взаимодействие концентрированного солнечного излучения с материаламиШерматов, Ж. З.; Пайзуллаханов, М. С.; Нодирматов, Э. З.; Ражаматов, О. Т.; Эрназаров, Ф. Н.; Сулайманов, М. Т.; Нурматов, Ф.; Махмудов, Ш. Й.; Черенда, Н. Н.
2020Влияние изотопного состава кремния на локальные колебательные моды комплекса вакансия-кислород при комнатной температуреТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние механических напряжений и внешнего магнитного поля на намагниченность и магнитосопротивление CoFe нанопроводовКухарев, А. В.; Данилюк, А. Л.; Прищепа, С. Л.
2020Влияние мощности СВЧ излучения на параметры спектров ЭПР образцов спеченных порошков наноалмаза детонационного синтезаОлешкевич, А. Н.; Долматов, В. Ю.; Нгуен Тхи Тхань Бинь; Мунгцецег, С.; Шилагарди, Г.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.
2020Влияние ориентации поверхности на теплопроводность тонких пленок Si/GeХомец, А. Л.; Холяво, И. И.; Мигас, Д. Б.; Сафронов, И. В.
2020Влияние синтеза и подложки на электросопротивление в однослойном графенеФедотов, А. К.; Харченко, А. А.; Гуменник, В. Э.; Федотова, Ю. А.; Чичков, М. В.; Малинкович, В. Д.; Рыбин, М. Г.; Образцова, Е. Д.; Баев, В. Г.
2020Влияние ультразвука на водородный показатель воды, используемой в технологии микро- и наноэлектроникиЛукьяница, В. В.
2020Влияние ширины запрещенной зоны на температурную зависимость коэффициента усиления биполярного n-p-n-транзистораОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2020Вольт-амперные характеристики нанотриода с катодом СпиндтаСтоляр, Н. Ф.
2020Выращивание гетероструктур 3C-SiC / (100) Si при быстрой термической обработкеЛобанок, М. В.; Прокопьев, С. Л.; Моховиков, М. А.; Гайдук, П. И.