Выращивание гетероструктур 3C-SiC / (100) Si при быстрой термической обработке

Abstract

Разработан и апробирован метод выращивания тонких слоев SiC на подложке (100) Si при быстрой термической обработке (БТО). БТО проводился при 1100 °C в течение 30 сек в вакуумной камере при остаточном давлении 1×10 −2 Па. В качестве источника углерода использована смесь пропан-аргон (10 % C3H8/Ar), или пары масла, используемого в вакуумной системе установки БТО. Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронной дифракции установлено, что в указанных режимах на подложке (100) Si формируются тонкие пленки β-SiC, эпитаксиальные подложке