Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257317
Заглавие документа: | Sol-gel synthesis and roperties of heterostructures containing nanostructured porous layer |
Авторы: | Rudenko, M. V. Gaponenko, N. V. Chubenko, E. B. Borisenko, V. E. Litvinov, V. G. Ermachikhin, A. V. Mukhin, N. V. Monaico, E. V. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 249-253. |
Аннотация: | Porous nanostructured films with total thickness of about 630 nm and grain size up to 30 nm were fabricated by sol-gel route on silicon substrate and silicon substrate with TiOx/Pt layers. Raman spectroscopy analysis of the porous film confirms the presence of TiO2, SrO and SrTiO3 phases. Sol-gel synthesized heterostructures containing porous nanostructured strontium titanate (ST) films formed on dense ST sublayers are prospective for components of photonic crystals with a reduced refractive index and absence of chemical interaction between layers |
Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257317 |
ISBN: | 978-985-881-073-3 |
Финансовая поддержка: | The authors acknowledge financial support from the State Committee on Science and Technology of the Republic of Belarus and Ministry of Education, Culture and Research of Moldova under the Grants № T19MLDG-005 and № 19.80013.50.07.02A/BL |
Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
249-253.pdf | 2,07 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.