Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257314| Заглавие документа: | Structure and electronic properties of MoS1.5Se0.5 alloy from first-principals calculations |
| Авторы: | Gusakov, V. Gusakova, J. Tay, B. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 234-238. |
| Аннотация: | The effects of relative positions of Se atoms in a real monolayer alloy MoS1.5Se0.5 have been studied. It is demonstrated that the distribution of Se atoms between top and bottom chalcogen planes is most energetically favorable. For a more probable distribution of Se atoms MoS1.5Se0.5 monolayer alloy is a direct semiconductor with the fundamental band gap equal 2.35 eV. We have also evaluated the optical band gap of alloy at 77 K (1.86 eV) and room temperature (1.80 eV), which is in good agreement with the experimentally measured band gap of 1.79 eV |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257314 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 234-238.pdf | 483,62 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.