Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257257| Заглавие документа: | Аллотропия молекул, входящих в кластер повехности кремния |
| Другое заглавие: | Allotropy of molecules included in the silicon surface cluster / J. Shmermbekk |
| Авторы: | Шмермбекк, Ю. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 443-447. |
| Аннотация: | С помощью разработанной модели формирования молекулярных и кластерных структур с учетом ковалентной, ионной, наведенной, электрон-дипольной и диполь-дипольной связи удалось расчетным методом получить результаты, которые согласуются с экспериментальными. В конденсированном состоянии кластеры кремния формируются трехатомными молекулами (или тримерами). Теоретически и экспериментально обоснована конструкция поверхности кристаллического кремния и осажденного на него индия. Благодаря такой модели стало возможным объяснение динамики осаждения индия на кремний и отличные друг от друга свойства отдельных структурных ячеек на поверхности кристаллического кремния |
| Аннотация (на другом языке): | Using the developed model of the formation of molecular and cluster structures, taking into account the covalent, ionic, induced, electron-dipole and dipole-dipole bonds, it was possible to obtain by the calculation method, which agree with the experimental ones. In the condensed state, silicon clusters are formed by triatomic molecules (or trimmers). Theoretically and experimentally based on the design of crystalline silicon and indium deposited on it. Thanks to such models, it became possible to explain the dynamics of the deposition of indium on silicon and the different properties of individual surfaces on the surface of crystalline silicon |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257257 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 443-447.pdf | 1,41 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.