Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257257| Title: | Аллотропия молекул, входящих в кластер повехности кремния |
| Other Titles: | Allotropy of molecules included in the silicon surface cluster / J. Shmermbekk |
| Authors: | Шмермбекк, Ю. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 443-447. |
| Abstract: | С помощью разработанной модели формирования молекулярных и кластерных структур с учетом ковалентной, ионной, наведенной, электрон-дипольной и диполь-дипольной связи удалось расчетным методом получить результаты, которые согласуются с экспериментальными. В конденсированном состоянии кластеры кремния формируются трехатомными молекулами (или тримерами). Теоретически и экспериментально обоснована конструкция поверхности кристаллического кремния и осажденного на него индия. Благодаря такой модели стало возможным объяснение динамики осаждения индия на кремний и отличные друг от друга свойства отдельных структурных ячеек на поверхности кристаллического кремния |
| Abstract (in another language): | Using the developed model of the formation of molecular and cluster structures, taking into account the covalent, ionic, induced, electron-dipole and dipole-dipole bonds, it was possible to obtain by the calculation method, which agree with the experimental ones. In the condensed state, silicon clusters are formed by triatomic molecules (or trimmers). Theoretically and experimentally based on the design of crystalline silicon and indium deposited on it. Thanks to such models, it became possible to explain the dynamics of the deposition of indium on silicon and the different properties of individual surfaces on the surface of crystalline silicon |
| Description: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257257 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 443-447.pdf | 1,41 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.