Logo BSU

Browsing by Author Шпаковский, С. В.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 28  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2010Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2019Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импедансГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2013Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2015ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2008Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробояПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А.
2010Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.
2018Исследовать миграцию электронов по точечным дефектам структуры в полупроводниках для разработки выпрямителя прыжкового тока и элемента Пельтье. Подпрограмма «Материаловедение и технологии материалов». ГПНИ «Физическое материаловедение, новые материалы и технологии» на 2016 - 2020 гг., по заданию 1.33 : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Сягло, А. И.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Ковалев, А. И.; Деревяго, А. Н.
2019Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопииГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Марочкина, Я. Н.; Шпаковский, С. В.
2007Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектамиПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.
2012ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
2002Определение времени жизни носителей заряда в полупроводниковом диоде из измерений высокочастотного импедансаШпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.
2012ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
2014Перенос заряда в кремниевых p+n-диодах со сформированным высокоэнергетической имплантацией тяжелых ионов потенциальным рельефом в базовой области : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель Н. И. ГорбачукГорбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.
2014Перенос заряда и переходные процессы в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Скуратов, В. А.
2020Радиационностойкие электронные компоненты для космической техникиБогатырев, Ю. В.; Кетько, А. В.; Ластовский, С. Б.; Лозицкий, Е. Г.; Огородников, Д. А.; Пиловец, С. А.; Шпаковский, С. В.
2014Радиационные дефекты в кремниевых диодах, облученных ионами висмута с энергией 700 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Во Куанг Нья; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Ластовский, С. Б.; Скуратов, В. А.
2014Разработка физико-технологических методов создания бездислокационных легированных слоев кремния и моделирование переходных процессов на границах раздела структур субмикронных интегральных микросхем : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. Б. ОджаевОджаев, В. Б.; Челядинский, А. Р.; Петров, В. В.; Азарко, И. И.; Просолович, В. С.; Горбачук, Н. И.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Поклонская, О. Н.; Сидоренко, Ю. В.; Садовский, П. К.