Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/120125
Заглавие документа: | ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВ |
Авторы: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2015 |
Аннотация: | Исследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные электронами с энергией 3.5 МэВ. Флюенс облучения варьиро-вался от 1013 до 5·1015 см–2. Показано, что облучение структур Al/SiO2/n-Si электронами приводит к трансформации вида зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ от постоянного напряжения смещения U. В интервале U, соответствующему режимам обеднения и слабой инверсии, облучение структур электронами флюенсами 1013–5·1014 см–2 вызывает увеличение tgδ более чем на порядок, из-за потерь на перезарядку поверхностных состояний. Для структур, облученных электронами флюенсами ~5·1015 см–2, характерно увеличение tgδ во всем исследованном диапазоне U (от –40 до +40 В), что связано с возрастанием токов сквозной проводимости через диэлектрик. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/120125 |
Располагается в коллекциях: | 2015. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Поклонский-Горбачук.pdf | 503,87 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.