Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/120125
Title: ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВ
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2015
Abstract: Исследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные электронами с энергией 3.5 МэВ. Флюенс облучения варьиро-вался от 1013 до 5·1015 см–2. Показано, что облучение структур Al/SiO2/n-Si электронами приводит к трансформации вида зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ от постоянного напряжения смещения U. В интервале U, соответствующему режимам обеднения и слабой инверсии, облучение структур электронами флюенсами 1013–5·1014 см–2 вызывает увеличение tgδ более чем на порядок, из-за потерь на перезарядку поверхностных состояний. Для структур, облученных электронами флюенсами ~5·1015 см–2, характерно увеличение tgδ во всем исследованном диапазоне U (от –40 до +40 В), что связано с возрастанием токов сквозной проводимости через диэлектрик.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/120125
Appears in Collections:2015. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Поклонский-Горбачук.pdf503,87 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.