ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВ

Abstract

Исследовались структуры Al/SiO2/n-Si, облученные электронами с энергией 3.5 МэВ. Флюенс облучения варьиро-вался от 1013 до 5·1015 см–2. Показано, что облучение структур Al/SiO2/n-Si электронами приводит к трансформации вида зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ от постоянного напряжения смещения U. В интервале U, соответствующему режимам обеднения и слабой инверсии, облучение структур электронами флюенсами 1013–5·1014 см–2 вызывает увеличение tgδ более чем на порядок, из-за потерь на перезарядку поверхностных состояний. Для структур, облученных электронами флюенсами ~5·1015 см–2, характерно увеличение tgδ во всем исследованном диапазоне U (от –40 до +40 В), что связано с возрастанием токов сквозной проводимости через диэлектрик.