Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/283962
Заглавие документа: Исследовать миграцию электронов и дырок в частично разупорядоченном pn-переходе для разработки элемента Пельтье : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский
Авторы: Поклонский, Н. А.
Вырко, С. А.
Власов, А. Т.
Сягло, А. И.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Ковалев, А. И.
Деревяго, А. Н.
Аникеев, И. И.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение
ЭБ БГУ::ОБЩЕСТВЕННЫЕ НАУКИ::Информатика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Автоматика. Вычислительная техника
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Механика
ЭБ БГУ::МЕЖОТРАСЛЕВЫЕ ПРОБЛЕМЫ::Статистика
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Транспорт
ЭБ БГУ::Подразделение БГУ::Физический факультет
Дата публикации: 2020
Издатель: Минск : БГУ
Аннотация: Объекты исследования — ковалентные полупроводниковые материалы, содержащие как двухзарядные (водородоподобные) легирующие примеси, так и точечные трехзарядные дефекты кристаллической структуры, а также приборные структуры на основе кремния. Цель работы: исследовать миграцию электронов по точечным неподвижным дефектам структуры в частично разупорядоченном полупроводниковом pn-переходе для разработки элемента Пельтье. Методы исследования — численные расчеты и компьютерное моделирование, аналитические методы математической физики. В работе использовался аппарат квантовой механики и статистической термодинамики. В результате выполнения НИР найдено решение линеаризованной системы дифференциальных уравнений для описания прыжкового дрейфа и диффузии как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) по трехзарядным точечным дефектам в частично разупорядоченных полупроводниковых материалах. Показано, что использование таких материалов с термически активируемой прыжковой миграцией одиночных электронов и биполяронов перспективно для разработки новых элементов Пельтье. В транзисторных структурах p–n–p-типа обнаружен эффект отрицательной емкости (импеданс индуктивного типа). Установлено, что причиной возникновения импеданса индуктивного типа является накопление заряда в базе (т. е. n-области) транзистора. Полученные в ходе выполнения НИР закономерности поведения магнитосопротивления и электропроводности графена на полуизолирующих подложках гексагонального карбида кремния могут использоваться для разработки магнитоэлектронных устройств, работающих при комнатной температуре, а также датчиков условий обледенения для приложений в авиации. Результаты НИР внедрены в учебный процесс БГУ и используются в курсах лекций «Физика полупроводниковых приборов: неравновесные процессы», «Физика твердого тела».
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/283962
Регистрационный номер: Рег. № НИР 20190537
Лицензия: info:eu-repo/semantics/closedAccess
Располагается в коллекциях:Отчеты 2020

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Отчет 20190537 Поклонский.pdf1,98 MBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.