Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/283962
Заглавие документа: | Исследовать миграцию электронов и дырок в частично разупорядоченном pn-переходе для разработки элемента Пельтье : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель Н. А. Поклонский |
Авторы: | Поклонский, Н. А. Вырко, С. А. Власов, А. Т. Сягло, А. И. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Ковалев, А. И. Деревяго, А. Н. Аникеев, И. И. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение ЭБ БГУ::ОБЩЕСТВЕННЫЕ НАУКИ::Информатика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Автоматика. Вычислительная техника ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Математика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Механика ЭБ БГУ::МЕЖОТРАСЛЕВЫЕ ПРОБЛЕМЫ::Статистика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Транспорт ЭБ БГУ::Подразделение БГУ::Физический факультет |
Дата публикации: | 2020 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объекты исследования — ковалентные полупроводниковые материалы, содержащие как двухзарядные (водородоподобные) легирующие примеси, так и точечные трехзарядные дефекты кристаллической структуры, а также приборные структуры на основе кремния. Цель работы: исследовать миграцию электронов по точечным неподвижным дефектам структуры в частично разупорядоченном полупроводниковом pn-переходе для разработки элемента Пельтье. Методы исследования — численные расчеты и компьютерное моделирование, аналитические методы математической физики. В работе использовался аппарат квантовой механики и статистической термодинамики. В результате выполнения НИР найдено решение линеаризованной системы дифференциальных уравнений для описания прыжкового дрейфа и диффузии как одиночных электронов, так и пар электронов (биполяронов) по трехзарядным точечным дефектам в частично разупорядоченных полупроводниковых материалах. Показано, что использование таких материалов с термически активируемой прыжковой миграцией одиночных электронов и биполяронов перспективно для разработки новых элементов Пельтье. В транзисторных структурах p–n–p-типа обнаружен эффект отрицательной емкости (импеданс индуктивного типа). Установлено, что причиной возникновения импеданса индуктивного типа является накопление заряда в базе (т. е. n-области) транзистора. Полученные в ходе выполнения НИР закономерности поведения магнитосопротивления и электропроводности графена на полуизолирующих подложках гексагонального карбида кремния могут использоваться для разработки магнитоэлектронных устройств, работающих при комнатной температуре, а также датчиков условий обледенения для приложений в авиации. Результаты НИР внедрены в учебный процесс БГУ и используются в курсах лекций «Физика полупроводниковых приборов: неравновесные процессы», «Физика твердого тела». |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/283962 |
Регистрационный номер: | Рег. № НИР 20190537 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/closedAccess |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2020 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20190537 Поклонский.pdf | 1,98 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.