Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304316| Заглавие документа: | Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на рабочие характеристики кремниевых биполярных транзисторов |
| Другое заглавие: | Effect of 4 MeV electron irradiation on the operating characteristics of silicon BJTs / Sergei Miskevich, Alexander Komarov, Vera Yuvchenko, Alexei Ermolaev, Sergei Shpakovski, Yuri Bogatyrev, Galina Zayats |
| Авторы: | Мискевич, С. А. Комаров, А. Ф. Ювченко, В. Н. Ермолаев, А. П. Шпаковский, С. В. Богатырёв, Ю. В. Заяц, Г. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 180-182. |
| Аннотация: | В работе рассматриваются процессы, происходящие в биполярных транзисторах на кремнии, при облучении их потоком высокоэнергетических электронов со средней энергией 4 МэВ. Определено, что основной вклад в радиационную деградацию рабочих характеристик данного типа приборов вносит уменьшение времени жизни неравновесных носителей заряда вследствие появления при облучении дефектов - центров рекомбинации. Разработана физико-математическая модель радиационного изменения времени жизни неравновесных носителей заряда в базе транзистора при облучении электронами. Предложен метод расчёта радиационного коэффициента изменения времени жизни неравновесных дырок при облучении электронами 4 МэВ. Проведен расчёт изменения выходных характеристик и коэффициента усиления p-n-p биполярного транзистора при облучении электронами |
| Аннотация (на другом языке): | Semiconductor devices used in space, on atomic objects or in military equipment should have the high radiation hardness. Their manufacturing is expensive and requires the series of the tests of the finished products. To reduce the costs, the computer simulation of device operation is used. The software allows to forecast the malfunction and failure of the semiconductor devices at the design stage. This work represents the research of processes in the silicon p-n-p bipolar junction transistors (BJT) operating under the irradiation of 4 MeV electrons with a dose of up to 10 15 cm -2. The model of radiation changes of the BJT characteristics is developed. The base of this model is the equation of continuity of non-equilibrium charge carriers describing their distribution within the base area of BJT. Distribution profile defines the recombination losses of non-equilibrium charge carriers and the currents through the terminals. The method of calculation of the radiation factor of lifetime change for the electron flux is proposed. Experimental research was carried out at the “Integral” facility. The dependence of input and output characteristics, collector current and current gain on the radiation dose is obtained and presented in this work. Both simulation and experimental results show the significant deterioration in the BJT performance |
| Доп. сведения: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation effects in solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304316 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 180-182.pdf | 323,21 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.