Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236925| Заглавие документа: | Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии |
| Другое заглавие: | Controlling of differential resistance of p–n-junctions of bipolar transistor in active mode by method of impedance spectroscopy / N. I. Gorbachuk, N. A. Poklonski, Ya. N. Marochkina, S. V. Shpakovski |
| Авторы: | Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Марочкина, Я. Н. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2019 |
| Издатель: | Белорусский национальный технический университет |
| Библиографическое описание источника: | Приборы и методы измерений = Devices and Methods of Measurements. – 2019. – Т. 10, № 3. – С. 253–262 |
| Аннотация: | Контроль параметров готовых транзисторов и межоперационный контроль при их изготовлении являются необходимыми условия выпуска конкурентоспособных изделий электронной промышленности. Традиционно для контроля биполярных транзисторов используются измерения на постоянном токе и регистрация вольт-фарадных характеристик. Проведение измерений на переменном токе позволит получить дополнительную информацию о параметрах биполярных транзисторов. Цель работы – показать возможности метода импедансной спектроскопии для контроля дифференциального электрического сопротивления p–n-переходов биполярного p–n–p-транзистора в активном режиме. Методом импедансной спектроскопии исследован p–n–p-транзистор КТ814Г производства ОАО «ИНТЕГРАЛ». На переменном токе в интервале частот 20 Hz–30 MHz определены значения дифференциального электрического сопротивления и емкости p–n-переходов база–эмиттера и база–коллектора при постоянных токах базы от 0,8 до 46 µA. Результаты работы могут быть использованы при отработке методик выходного контроля дискретных биполярных полупроводниковых приборов. |
| Аннотация (на другом языке): | Controlling of parameters of manufactured transistors and interoperational controlling during their production are necessary conditions for production of competitive products of electronic industry. Traditionally for controlling of bipolar transistors the direct current measurements and registration of capacity-voltage characteristics are used. Carrying out measurements on alternating current in a wide interval of frequencies (20 Hz–30 MHz) will allow to obtain additional information on parameters of bipolar transistors. The purpose of the work is to show the possibilities of the method of impedance spectroscopy for controlling of differential resistance of p–n-junctions of the bipolar p–n–p-transistor in active mode. The KT814G p–n–p-transistor manufactured by JSC “INTEGRAL” was studied by the method of impedance spectroscopy. The values of differential electrical resistance and capacitance for base–emitter and base–collector p–n-junctions are defined at direct currents in base from 0.8 to 46 μA. The results of the work can be applied to elaboration of techniques of final checking of discrete bipolar semiconductor devices. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236925 |
| ISSN: | 2220-9506 (Print) 2414-0473 (Online) |
| DOI документа: | 10.21122/2220-9506-2019-10-3-253-262 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена при финансовой поддержке ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» и «Физматтех». |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| PIMIs253-262.pdf | 543,41 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.