Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/236925| Title: | Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии |
| Other Titles: | Controlling of differential resistance of p–n-junctions of bipolar transistor in active mode by method of impedance spectroscopy / N. I. Gorbachuk, N. A. Poklonski, Ya. N. Marochkina, S. V. Shpakovski |
| Authors: | Горбачук, Н. И. Поклонский, Н. А. Марочкина, Я. Н. Шпаковский, С. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2019 |
| Publisher: | Белорусский национальный технический университет |
| Citation: | Приборы и методы измерений = Devices and Methods of Measurements. – 2019. – Т. 10, № 3. – С. 253–262 |
| Abstract: | Контроль параметров готовых транзисторов и межоперационный контроль при их изготовлении являются необходимыми условия выпуска конкурентоспособных изделий электронной промышленности. Традиционно для контроля биполярных транзисторов используются измерения на постоянном токе и регистрация вольт-фарадных характеристик. Проведение измерений на переменном токе позволит получить дополнительную информацию о параметрах биполярных транзисторов. Цель работы – показать возможности метода импедансной спектроскопии для контроля дифференциального электрического сопротивления p–n-переходов биполярного p–n–p-транзистора в активном режиме. Методом импедансной спектроскопии исследован p–n–p-транзистор КТ814Г производства ОАО «ИНТЕГРАЛ». На переменном токе в интервале частот 20 Hz–30 MHz определены значения дифференциального электрического сопротивления и емкости p–n-переходов база–эмиттера и база–коллектора при постоянных токах базы от 0,8 до 46 µA. Результаты работы могут быть использованы при отработке методик выходного контроля дискретных биполярных полупроводниковых приборов. |
| Abstract (in another language): | Controlling of parameters of manufactured transistors and interoperational controlling during their production are necessary conditions for production of competitive products of electronic industry. Traditionally for controlling of bipolar transistors the direct current measurements and registration of capacity-voltage characteristics are used. Carrying out measurements on alternating current in a wide interval of frequencies (20 Hz–30 MHz) will allow to obtain additional information on parameters of bipolar transistors. The purpose of the work is to show the possibilities of the method of impedance spectroscopy for controlling of differential resistance of p–n-junctions of the bipolar p–n–p-transistor in active mode. The KT814G p–n–p-transistor manufactured by JSC “INTEGRAL” was studied by the method of impedance spectroscopy. The values of differential electrical resistance and capacitance for base–emitter and base–collector p–n-junctions are defined at direct currents in base from 0.8 to 46 μA. The results of the work can be applied to elaboration of techniques of final checking of discrete bipolar semiconductor devices. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/236925 |
| ISSN: | 2220-9506 (Print) 2414-0473 (Online) |
| DOI: | 10.21122/2220-9506-2019-10-3-253-262 |
| Sponsorship: | Работа выполнена при финансовой поддержке ГПНИ «Фотоника, опто- и микроэлектроника» и «Физматтех». |
| Appears in Collections: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| PIMIs253-262.pdf | 543,41 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.