Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223330
Title: Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробоя
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Филипеня, В. А.
Соловьев, Я. А.
Лacтoвcкий, С. Б.
Wieck, А.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2008
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 68-72
Abstract: Исследованию лавинного микроплазменного пробоя в кремниевых барьерных структурах посвящено значительное количество работ (см., например, [1] и цитируемую там литературу). Однако точное определение его причин в каждом конкретном случае представляет собой непростую задачу [2]. Это, а также внедрение субмикронных технологий и создание полупроводниковых приборов, работа которых основана собственно на эффекте лавинного пробоя, определяет актуальность тематики и в настоящее время.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223330
ISBN: 978-985-518-091-4
Appears in Collections:2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
68-72.pdf833,69 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.