Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223330Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
| dc.contributor.author | Лacтoвcкий, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Wieck, А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-07-09T09:31:21Z | - |
| dc.date.available | 2019-07-09T09:31:21Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 68-72 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-518-091-4 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223330 | - |
| dc.description.abstract | Исследованию лавинного микроплазменного пробоя в кремниевых барьерных структурах посвящено значительное количество работ (см., например, [1] и цитируемую там литературу). Однако точное определение его причин в каждом конкретном случае представляет собой непростую задачу [2]. Это, а также внедрение субмикронных технологий и создание полупроводниковых приборов, работа которых основана собственно на эффекте лавинного пробоя, определяет актуальность тематики и в настоящее время. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробоя | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.