Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223330| Title: | Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробоя |
| Authors: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. Филипеня, В. А. Соловьев, Я. А. Лacтoвcкий, С. Б. Wieck, А. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2008 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 68-72 |
| Abstract: | Исследованию лавинного микроплазменного пробоя в кремниевых барьерных структурах посвящено значительное количество работ (см., например, [1] и цитируемую там литературу). Однако точное определение его причин в каждом конкретном случае представляет собой непростую задачу [2]. Это, а также внедрение субмикронных технологий и создание полупроводниковых приборов, работа которых основана собственно на эффекте лавинного пробоя, определяет актуальность тематики и в настоящее время. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223330 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Appears in Collections: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.