Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/329574| Заглавие документа: | Исследование воздействия электронного облучения на напряжение пробоя биполярных транзисторов |
| Другое заглавие: | Study of the influence of electron irradiation on breakdown voltage of bipolar transistors / D. N. Zhdanovich, N. E. Zhdanovich, S. B. Lastovskii, I. F. Medvedeva, S. V. Shpakovsky |
| Авторы: | Жданович, Д. Н. Жданович, Н. Е. Ластовский, С. Б. Медведева, И. Ф. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 252-257. |
| Аннотация: | Приводятся результаты исследования воздействия электронного облучения в диапазоне флюенсов 1·10 14 –2·10 15 см -2 и температур эксплуатации в диапазоне 120–420 К на напряжение пробоя комплиментарных n–p–n- и p–n–p-транзисторов при разных токах насыщения коллектора в схеме с общим эмиттером. Также методом спектроскопии DLTS определены электронные характеристики радиационно-индуцированных центров (РИЦ), вводимых облучением быстрыми электронами в коллекторную и эмиттерную области кремниевых n–p–n-транзисторов |
| Аннотация (на другом языке): | The results of the study of the influence of electron irradiation in the fluence range of 1·10 14 –2·10 15 cm-2 and operating temperatures in the range of 120–420 K on the breakdown voltage of complementary n–p–n- and p–n–p-transistors at different collector saturation currents in a circuit with a common emitter are presented. Additionally, the electronic characteristics of radiation-induced centers (RIC) introduced by fast electron irradiation into the collector and base regions of silicon n–p–n-transistors were determined by DLTS spectroscopy |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/329574 |
| ISBN: | 978-985-881-739-8 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2024. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 252-257.pdf | 488,06 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.