Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Материалы и структуры современной электроники
  6. 2024. Материалы и структуры современной электроники
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/329574
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЖданович, Д. Н.
dc.contributor.authorЖданович, Н. Е.
dc.contributor.authorЛастовский, С. Б.
dc.contributor.authorМедведева, И. Ф.
dc.contributor.authorШпаковский, С. В.
dc.date.accessioned2025-05-22T14:49:12Z-
dc.date.available2025-05-22T14:49:12Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы XI Междунар. науч. конф., Минск, 16–18 окт. 2024 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 252-257.
dc.identifier.isbn978-985-881-739-8
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/329574-
dc.descriptionДефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках
dc.description.abstractПриводятся результаты исследования воздействия электронного облучения в диапазоне флюенсов 1·10 14 –2·10 15 см -2 и температур эксплуатации в диапазоне 120–420 К на напряжение пробоя комплиментарных n–p–n- и p–n–p-транзисторов при разных токах насыщения коллектора в схеме с общим эмиттером. Также методом спектроскопии DLTS определены электронные характеристики радиационно-индуцированных центров (РИЦ), вводимых облучением быстрыми электронами в коллекторную и эмиттерную области кремниевых n–p–n-транзисторов
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleИсследование воздействия электронного облучения на напряжение пробоя биполярных транзисторов
dc.title.alternativeStudy of the influence of electron irradiation on breakdown voltage of bipolar transistors / D. N. Zhdanovich, N. E. Zhdanovich, S. B. Lastovskii, I. F. Medvedeva, S. V. Shpakovsky
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe results of the study of the influence of electron irradiation in the fluence range of 1·10 14 –2·10 15 cm-2 and operating temperatures in the range of 120–420 K on the breakdown voltage of complementary n–p–n- and p–n–p-transistors at different collector saturation currents in a circuit with a common emitter are presented. Additionally, the electronic characteristics of radiation-induced centers (RIC) introduced by fast electron irradiation into the collector and base regions of silicon n–p–n-transistors were determined by DLTS spectroscopy
Располагается в коллекциях:2024. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
252-257.pdf488,06 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.