Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48817
Title: Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ
Authors: Поклонский, Н. А.
Горбачук, Н. И.
Шпаковский, С. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2013
Abstract: Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные ионами висмута с энергией 700 МэВ и ксенона с энергией 170 МэВ. Флюенс облучения 108 см–2. Показано, что анализ зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ от напряжения обратного смещения Ur позволяют разделить вклады в диэлектрические потери от дефектов, расположенных на различной глубине. Полученные зависимости tgδ от частоты f переменного тока для диодов, под- вергнутых двойной имплантации, отражают суммарное накопление дефектов в области пространственного заряда, а также поэтапное формирование сплошного радиационно-нарушенного слоя.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48817
Appears in Collections:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Поклонский.pdf439,25 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.