Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48817| Заглавие документа: | Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ |
| Авторы: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2013 |
| Аннотация: | Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные ионами висмута с энергией 700 МэВ и ксенона с энергией 170 МэВ. Флюенс облучения 108 см–2. Показано, что анализ зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ от напряжения обратного смещения Ur позволяют разделить вклады в диэлектрические потери от дефектов, расположенных на различной глубине. Полученные зависимости tgδ от частоты f переменного тока для диодов, под- вергнутых двойной имплантации, отражают суммарное накопление дефектов в области пространственного заряда, а также поэтапное формирование сплошного радиационно-нарушенного слоя. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48817 |
| Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Поклонский.pdf | 439,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.