Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48817| Title: | Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ |
| Authors: | Поклонский, Н. А. Горбачук, Н. И. Шпаковский, С. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2013 |
| Abstract: | Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные ионами висмута с энергией 700 МэВ и ксенона с энергией 170 МэВ. Флюенс облучения 108 см–2. Показано, что анализ зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ от напряжения обратного смещения Ur позволяют разделить вклады в диэлектрические потери от дефектов, расположенных на различной глубине. Полученные зависимости tgδ от частоты f переменного тока для диодов, под- вергнутых двойной имплантации, отражают суммарное накопление дефектов в области пространственного заряда, а также поэтапное формирование сплошного радиационно-нарушенного слоя. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48817 |
| Appears in Collections: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Поклонский.pdf | 439,25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.