Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48817Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Поклонский, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Горбачук, Н. И. | - |
| dc.contributor.author | Шпаковский, С. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-10-11T09:00:33Z | - |
| dc.date.available | 2013-10-11T09:00:33Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48817 | - |
| dc.description.abstract | Исследовались кремниевые диоды с p+n-переходом, облученные ионами висмута с энергией 700 МэВ и ксенона с энергией 170 МэВ. Флюенс облучения 108 см–2. Показано, что анализ зависимостей тангенса угла диэлектрических потерь tgδ от напряжения обратного смещения Ur позволяют разделить вклады в диэлектрические потери от дефектов, расположенных на различной глубине. Полученные зависимости tgδ от частоты f переменного тока для диодов, под- вергнутых двойной имплантации, отражают суммарное накопление дефектов в области пространственного заряда, а также поэтапное формирование сплошного радиационно-нарушенного слоя. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Поклонский.pdf | 439,25 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.