Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Issue Date Author Title Subject

Browsing by Author Борздов, А. В.

Jump to: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

or enter first few letters:  
Showing results 1 to 20 of 51  next >
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2003Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С.
2008Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволокеБорздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М.
Jan-2008Влияние содержания алюминия в барьерном слое AlxGa1–xAs на дрейфовую скорость электронов в квантовой проволоке на основе гетероструктуры GaAs/AlxGa1–xAsБорздов, А. В.
2016Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизацииБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Дорожкин, Н. Н.
2024Моделирование величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.
2023Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
May-2006Моделирование влияния про­цесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзистореГаленчик, В. О.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.
2023Моделирование влияния процессов генерации-рекомбинации на подвижность электронов в кремнииБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Петлицкий, А. Н.
2023Моделирование влияния стокового напряжения на форму потенциального барьера в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2020Моделирование воздействия импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности на ток стока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистораБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
2013Моделирование и оптимизация приборных структур с холодными катодами на основе углеродных нанотрубок : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.
2014Моделирование методом Монте-Карло влияния ударной ионизации на ВАХ и флуктуации тока в кремниевом диоде со структурой n+-n-n+Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буслюк, В. В.
2021Моделирование методом Монте-Карло кремниевого фотодетектора со структурой металл-полупроводник-металлБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2022Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Леонтьев, А. В.
2017Моделирование методом Монте-Карло фототока субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излученияБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
Nov-2019Моделирование нелинейного переноса электронов в GaAs квантовой проволоке многочастичным методом Монте-КарлоБорздов, А. В.; Борздов, В. М.
2022Моделирование отклика тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом на воздействие импульсов лазерного излученияБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буйновский, Д. Н.; Петлицкий, А. Н.
2006Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровнейЖевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2014Моделирование полевых КНИ-нанотранзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.
Showing results 1 to 20 of 51  next >