Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/163286| Заглавие документа: | Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизации |
| Авторы: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. Дорожкин, Н. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2016 |
| Издатель: | Минск : Изд. центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : сб. науч. тр. VII Междунар. науч. конф., посвящ. 50-летию каф. физики полупроводников и наноэлектроники, Минск, 12–13 окт. 2016 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. — Минск : Изд. центр БГУ, 2016. — С. 25-27. |
| Аннотация: | С помощью многочастичного метода Монте-Карло проведено моделирование процессов переноса носителей заряда в субмикронном КНИ-МОП-транзисторе с длиной канала 100 нм. Рассчитаны значения эффективной пороговой энергии ударной ионизации электронами с использованием описания данного процесса в рамках модели Келдыша и в рамках модели, основанной на численном расчете реальной зонной структуры кремния. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/163286 |
| ISBN: | 978-985-553-403-8 |
| Финансовая поддержка: | Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований. |
| Располагается в коллекциях: | 2016. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| с.25-27_Борздов.pdf | 344,07 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.