Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257330| Заглавие документа: | Моделирование воздействия импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности на ток стока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистора |
| Другое заглавие: | Simulation of the effect of picosecond laser pulses on the drain current of deep submicron SOI MOSFET / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov |
| Авторы: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 30-33. |
| Аннотация: | Многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование фототока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистора с длиной канала 50 нм при воздействии импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности с длинами волн 532 и 650 нм. Исследован отклик тока стока транзистора на импульсы лазерного излучения |
| Аннотация (на другом языке): | Ensemble Monte Carlo simulation of photocurrent in deep submicron SOI MOSFET with 50 nm channel length under the effect of 532 and 650 nm wavelength picosecond laser pulses is performed. The drain current response on the pulsed laser irradiation is studied |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257330 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Располагается в коллекциях: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.