Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/257330
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorБорздов, А. В.
dc.contributor.authorБорздов, В. М.
dc.date.accessioned2021-03-24T12:26:21Z-
dc.date.available2021-03-24T12:26:21Z-
dc.date.issued2020
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 30-33.
dc.identifier.isbn978-985-881-073-3
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/257330-
dc.descriptionСвойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе
dc.description.abstractМногочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование фототока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистора с длиной канала 50 нм при воздействии импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности с длинами волн 532 и 650 нм. Исследован отклик тока стока транзистора на импульсы лазерного излучения
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleМоделирование воздействия импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности на ток стока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистора
dc.title.alternativeSimulation of the effect of picosecond laser pulses on the drain current of deep submicron SOI MOSFET / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeEnsemble Monte Carlo simulation of photocurrent in deep submicron SOI MOSFET with 50 nm channel length under the effect of 532 and 650 nm wavelength picosecond laser pulses is performed. The drain current response on the pulsed laser irradiation is studied
Располагается в коллекциях:2020. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
30-33.pdf538,95 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.