Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/257330| Title: | Моделирование воздействия импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности на ток стока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистора |
| Other Titles: | Simulation of the effect of picosecond laser pulses on the drain current of deep submicron SOI MOSFET / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov |
| Authors: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2020 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы IX Междунар. науч. конф., Минск, 14–16 окт. 2020 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2020. – С. 30-33. |
| Abstract: | Многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование фототока глубокосубмикронного КНИ-МОП-транзистора с длиной канала 50 нм при воздействии импульсов лазерного излучения пикосекундной длительности с длинами волн 532 и 650 нм. Исследован отклик тока стока транзистора на импульсы лазерного излучения |
| Abstract (in another language): | Ensemble Monte Carlo simulation of photocurrent in deep submicron SOI MOSFET with 50 nm channel length under the effect of 532 and 650 nm wavelength picosecond laser pulses is performed. The drain current response on the pulsed laser irradiation is studied |
| Description: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/257330 |
| ISBN: | 978-985-881-073-3 |
| Appears in Collections: | 2020. Материалы и структуры современной электроники |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.