Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223558
Title: Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволоке
Authors: Борздов, А. В.
Поздняков, Д. В.
Сперанский, Д. С.
Борздов, В. М.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2008
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 209-213
Abstract: В последнее время достаточно много внимания уделяется исследованию влияния поперечного электрического поля на электрофизические свойства полупроводнико­вых структур с квазидвумерным и квазиодномерным электронным газом. Та­кой интерес обусловлен использованием данных структур при создании новых нано­размерных элементов интегральных схем.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/223558
ISBN: 978-985-518-091-4
Appears in Collections:2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
209-213.pdf825,97 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.