Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/223558| Заглавие документа: | Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволоке |
| Авторы: | Борздов, А. В. Поздняков, Д. В. Сперанский, Д. С. Борздов, В. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2008 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 209-213 |
| Аннотация: | В последнее время достаточно много внимания уделяется исследованию влияния поперечного электрического поля на электрофизические свойства полупроводниковых структур с квазидвумерным и квазиодномерным электронным газом. Такой интерес обусловлен использованием данных структур при создании новых наноразмерных элементов интегральных схем. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/223558 |
| ISBN: | 978-985-518-091-4 |
| Располагается в коллекциях: | 2008. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 209-213.pdf | 825,97 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.