Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволоке

Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, В. М.

Issue Date Author Title Subject

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/223558

Title:	Влияние поперечного электрического поля на дрейфовую скорость электронов в тонкой GaAs квантовой проволоке
Authors:	Борздов, А. В. Поздняков, Д. В. Сперанский, Д. С. Борздов, В. М.
Keywords:	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date:	2008
Publisher:	Минск : БГУ
Citation:	Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. III Междунар. науч. конф., Минск, 25-26 сент. 2008 г. / редкол. : В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. - Минск : БГУ, 2008. - С. 209-213
Abstract:	В последнее время достаточно много внимания уделяется исследованию влияния поперечного электрического поля на электрофизические свойства полупроводниковых структур с квазидвумерным и квазиодномерным электронным газом. Такой интерес обусловлен использованием данных структур при создании новых наноразмерных элементов интегральных схем.
URI:	http://elib.bsu.by/handle/123456789/223558
ISBN:	978-985-518-091-4
Appears in Collections:	2008. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
209-213.pdf		825,97 kB	Adobe PDF	View/Open

Show full item record Google Scholar