Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292842| Заглавие документа: | Моделирование отклика тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом на воздействие импульсов лазерного излучения |
| Другое заглавие: | Simulation of current response of silicon photodiode with p–n-junction on the effect of pulsed laser irradiation / A. V. Borzdov, V. M. Borzdov, D. N. Buinouski, A. N. Petlitsky |
| Авторы: | Борздов, А. В. Борздов, В. М. Буйновский, Д. Н. Петлицкий, А. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 26-29. |
| Аннотация: | Многочастичным методом Монте-Карло проведено моделирование тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом при воздействии импульсов излучения видимого диапазона пикосекундной длительности. Исследован отклик тока диода на импульсы лазерного излучения с длиной волны 532 нм и интенсивностью 5×10 10 Вт/м2 |
| Аннотация (на другом языке): | Ensemble Monte Carlo simulation of current in silicon photodiode with p–n-junction under the effect of picosecond pulses of irradiation of visible spectrum has been performed. The diode current response on the pulses of laser radiation with 532 nm wavelength and 5·10 10 W/m 2 intensity has been studied |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292842 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.